基于有源吸聲單元的聲隱身技術(shù)研究論文
摘 要:對聲隱身技術(shù)現(xiàn)狀進(jìn)行了概括,提出開展主動吸聲層研究的必要性;構(gòu)建了基于有源吸聲單元的主動吸聲層模型,并對吸聲單元的吸聲性能進(jìn)行了理論分析及計(jì)算機(jī)仿真研究,驗(yàn)證了該方案的可行性。
關(guān)鍵詞:聲隱身;有源聲學(xué)結(jié)構(gòu);吸聲
引言
隨著現(xiàn)代戰(zhàn)爭向電子戰(zhàn)、信息戰(zhàn)方向的發(fā)展,軍事目標(biāo)的隱身性能成為決定其生存能力及戰(zhàn)斗力的重要指標(biāo)。對于海軍,其主要偵察手段多是利用聲波進(jìn)行的,假如設(shè)備的輻射噪聲比較高,會降低自身的隱蔽性而受到攻擊;另一方面,為了獲得更好的隱身性能,還需要考慮如何應(yīng)對主動聲吶的探測。如果能將聲吶的探測波有效的進(jìn)行吸收,使回波減弱,則可大大加強(qiáng)目標(biāo)的隱身性能;诖,本文提出了一種應(yīng)用有源吸聲單元構(gòu)建吸聲層,以提高目標(biāo)聲隱身性能的方法。
1. 聲隱身技術(shù)現(xiàn)狀
在現(xiàn)代檢測技術(shù)條件下,軍事目標(biāo)特征包括電磁特征、光學(xué)特征、聲學(xué)特征以及尾流特征等。由于水中環(huán)境的特殊性,只有聲探測可以達(dá)到遠(yuǎn)程[1],因此對于海軍而言,聲隱身性能尤為重要。潛艇以其隱蔽性和機(jī)動性等特點(diǎn)成為各國發(fā)展的重點(diǎn)[2]。然而隨著聲吶及信號處理技術(shù)的迅猛發(fā)展,潛艇的隱蔽性受到了極大的威脅,提高潛艇聲隱身性能成為近年來研究的熱點(diǎn)。
由于主動聲吶技術(shù)的廣泛應(yīng)用,不僅是潛艇本身的輻射噪聲,甚至是艇體表面對聲吶探測波的反射都成為了暴露目標(biāo)的致命因素。為了降低艇體對聲波的.反射,目前各國的潛艇大部分都敷設(shè)了消聲瓦。消聲瓦是一種利用材料的聲學(xué)性能實(shí)現(xiàn)吸聲的無源控制方式。研究表明,這種控制方式對高頻聲波的控制效果較好,而對低頻聲波控制不佳[3]。隨著聲吶技術(shù)不斷向大功率、低頻段方向發(fā)展,普通的被動消聲瓦已無法滿足潛艇聲隱身的需要,因此各國相繼開展了主動消聲瓦的研究,然而由于種種原因的限制,目前該技術(shù)還未發(fā)展到大規(guī)模應(yīng)用階段。
2. 應(yīng)用有源吸聲單元構(gòu)建主動吸聲層
對于主動消聲瓦的研究,屬于有源吸聲的研究范疇。其根本思路在于利用次級力源或次級聲源向外輻射的聲波,與聲吶的探測波產(chǎn)生相消性干涉,實(shí)現(xiàn)“以聲消聲”,并利用誤差傳感器及自適應(yīng)控制器實(shí)現(xiàn)對次級源的實(shí)時(shí)控制。系統(tǒng)如圖1所示。但是次級源及誤差傳感器的個數(shù)及布放位置強(qiáng)烈依賴于外界環(huán)境,且為增大控制面積而采用的多通道系統(tǒng)也使系統(tǒng)的復(fù)雜程度增加,穩(wěn)定性和實(shí)時(shí)性下降。鑒于以上原因,本文借鑒有源聲學(xué)結(jié)構(gòu)的相關(guān)理論,提出了一種基于有源吸聲單元的主動吸聲層構(gòu)建方案。
圖1 有源吸聲系統(tǒng)示意圖
在每個吸聲單元中,包括了次級聲源和誤差傳感器,通過控制次級聲源的輸出,實(shí)現(xiàn)總反射聲功率最小,達(dá)到吸聲的目的。由于每個吸聲單元擁有獨(dú)立的誤差傳感器及控制器,故可通過多個吸聲單元的組合,實(shí)現(xiàn)大面積有源吸聲層的構(gòu)建,而整個控制系統(tǒng)算法的復(fù)雜度卻不會因此而增加。
3. 有源吸聲效果分析
由于每個吸聲單元相對獨(dú)立,因此對其吸聲效果進(jìn)行分析時(shí),可將重點(diǎn)放在單個吸聲單元模型的分析上。模型中初、次級板平行,且間距遠(yuǎn)小于頻段內(nèi)聲波波長。采用聲功率近場計(jì)算方法,可得到吸聲單元的總反射聲功率為:
其中為傳輸阻抗矩陣,為總法向振速,可表示為次級控制力向量的函數(shù):
結(jié)合式(1)、(2)可以看出,總反射聲功率是的二次型函數(shù),可求得唯一的一組控制力向量使得反射聲功率最小,此時(shí)的即為吸聲結(jié)構(gòu)的最優(yōu)控制力向量。最優(yōu)控制力向量及最小反射聲功率分別為:
式中,C、D、E的表達(dá)式見文獻(xiàn)[4]。
對吸聲單元進(jìn)行算例仿真。仿真中,著重關(guān)注300Hz以下頻率范圍內(nèi)的聲反射及吸收問題。在次級源作用前后,吸聲結(jié)構(gòu)的總反射聲功率對比如圖2所示。圖中實(shí)線及虛線分別表示次級源作用前、后結(jié)構(gòu)總反射聲功率。從圖中可以看出,次級源作用后,總反射聲功率有所下降,也就是說吸聲單元具有一定的吸聲性能。在低頻段,控制前后的總反射聲功率相差較大,隨著頻率的升高,吸聲效果逐漸減弱,說明有源控制適用于對低頻聲的吸收。
圖2 有源控制前后吸聲單元的反射聲功率
結(jié)論
本文對國內(nèi)外聲隱身技術(shù)的現(xiàn)狀進(jìn)行了研究,可以看到,目前廣泛采用的被動消聲瓦對低頻聲波的吸收性能很差,在應(yīng)用上存在一定的局限。結(jié)合有源聲學(xué)結(jié)構(gòu)的特點(diǎn),提出了一種基于有源吸聲單元的聲隱身技術(shù),并對吸聲單元進(jìn)行了建模及仿真分析,驗(yàn)證了對低頻聲波的吸收性能。吸聲單元可結(jié)合誤差傳感器及控制器,通過一定的自適應(yīng)算法,實(shí)現(xiàn)對吸聲效果的實(shí)時(shí)控制。利用有源吸聲單元的組合,可構(gòu)建大面積主動吸聲層,提高裝備的聲隱身性能。
參考文獻(xiàn):
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